Apple установит в iPhone 6 и iPhone 6 Plus более быструю память MLC NAND

AppleApple планирует в самом ближайшем будущем прекратить оснащать новые смартфоны iPhone 6 и iPhone 6 Plus модулями памяти TLC NAND. Вместо этого флагманы будут поставляться со встроенными модулями MLC NAND. В отличие от TLC, модуль MLC NAND может похвастаться меньшим временем чтения и стирания информации в ячейке и большим количеством циклов перезаписи. Решение перейти с TLC на MLC NAND компания Apple приняла после поступления неоднократных жалоб пользователей на сбои и ошибки в работе смартфонов, которые приводили к постоянной перезагрузке iPhone 6 и iPhone 6 Plus.

По предварительной информации, за производство дефектных модулей памяти несёт ответственность компания Anobit. Примечательно, что память MLC NAND уже использовалась ранее в предыдущих версиях iPhone. Теперь ей также оснастят iPhone 6 и iPhone 6 Plus с 64 ГБ и 128 ГБ внутренней памяти. Apple обещает исправить проблему с постоянными перезагрузками флагманов с выходом обновления iOS 8.1.1.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

*

code

(Spamcheck Enabled)